Основан 26 Июля 2013 года
freehacks.ru fhacks.me fhacks.pw fhacksnplmzxaaoo.onion
HashFlare

Показано с 1 по 1 из 1
  1. #1
    TopicStarter
    Аватар для sata-ata

    Статус
    Offline
    Регистрация
    29.10.2013
    Сообщений
    3,035
    Репутация
    282 + / -
    Программист

    Samsung начала производство инновационной флеш-памяти 3D V-NAND с 32 слоями

    Южнокорейская компания Samsung объявила о начале массового производства первой в отрасли флеш-памяти 3D V-NAND с объёмной структурой, имеющей 32 слоя для хранения данных.

    Методика V-NAND, или Vertical NAND, предусматривает компоновку кристаллов флеш-памяти по вертикали: это позволяет получить трёхмерную структуру микрочипа и в разы повысить количество хранимой информации на единицу площади. Надёжность хранения данных по сравнению с обычными «двухмерными» изделиями возрастает при этом в 2–10 раз.

    Samsung отмечает, что в течение последних лет флеш-память создавалась на основе плоских однослойных структур с ячейками с плавающим затвором. Однако после освоения процесса производства с топологическим размером «10-нм масштаба» возникла необходимость в новых технологических решениях, поскольку интерференция между соседними ячейками приводит к снижению надёжности NAND-памяти. Попытки решить возникающие проблемы в рамках классических технологий влекли за собой увеличение времени разработки и стоимости чипов памяти.

    Технология V-NAND решает эти технические проблемы благодаря инновациям в структуре, схемотехнике и производственном процессе. Для этого Samsung обновила разработанную в 2006 году технологию 3D Charge Trap Flash. В CTF-конструкции электрический заряд (определяющий хранящиеся в ячейке памяти данные) временно помещается в специальную изолированную область ячейки из непроводящего нитрида кремния (SiN) вместо используемого в классических технологиях плавающего затвора полевого транзистора для предотвращения интерференции между соседними ячейками памяти. Благодаря трёхмерной структуре слоёв в CTF-конструкции удалось значительно повысить надёжность и скорость памяти.

    Новое поколение памяти Samsung 3D V-NAND использует 32-слойную структуру против 24-слойной у решений предыдущего семейства. Память будет применяться в твердотельных накопителях ёмкостью до 1 Тбайт.

    8AC4F56356469F79B5283364053ACDA49D8EC9FEFDADC2B42F A5B4E979D9222267583F350BF9

    с/delphi/pascal/vbs/vbm/bat
    Ник зареган, суки! [Только зарегистрированные могут видеть это. ]

  2. Пользователь сказал cпасибо:
    admin

Метки этой темы

Ваши права

  • Вы не можете создавать новые темы
  • Вы не можете отвечать в темах
  • Вы не можете прикреплять вложения
  • Вы не можете редактировать свои сообщения
  •  
Информация на сайте предоставлена исключительно в ознакомительных целях, использование знаний в противозаконных целях преследуется по закону! Администрация не несет ответственности за ваши деяния.